大直径FZSi中的微缺陷研究

时间：2018-01-06 03:32:10 由

染雾

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大直径FZSi中的微缺陷研究

经过化学-机械抛光后,用常规的检验旋涡缺陷的方法没有观察到旋涡缺陷的FZSi片,用高温热氧化法有时则可以观察到明显的旋涡状分布的条纹图形.使用FTIR、XPS、 SEM能谱分析等手段的测量结果表明,这种旋涡

状分布的图形与晶体中的掺杂剂(磷、硼)和杂质氧、碳以及重金属杂质没有明显的依赖关系,它是硅中点缺陷在晶体径向截面上呈不均匀条纹状分布的结果.本文对大直径FZSi中的旋涡缺陷的形成机理和消除方法进行了初步的探讨.

作者：张维连赵红生孙军生张恩怀陈洪建高树良刘涛胡元庆李颖辉郭丽华作者单位：张维连,赵红生,孙军生,张恩怀,陈洪建(河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130)

高树良,刘涛,胡元庆,李颖辉,郭丽华(天津半导体材料厂,天津,300130)

刊名：人工晶体学报 ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS 年，卷(期)： 200231(6) 分类号： O77 关键词： FZSi 旋涡缺陷热对流点缺陷